特許

J-GLOBAL ID：201303041734966300

印刷可能な半導体構造、並びに関連する製造方法及び組立方法

発明者： ヌゾー, ラルフ ジー. ,  ロジャース, ジョン エー. ,  メナード, エティエンヌ ,  リー, ケオン ジャエ ,  カン, ダール-ヤン ,  サン, ユーガン ,  メイトル, マシュー ,  ツ, ツェンタオ ,  コー, フエン チョー ,  マック, シャウン
出願人/特許権者： ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ
代理人 (3件)： 山田 行一 ,  野田 雅一 ,  池田 成人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-246602
公開番号（公開出願番号）：特開2013-080934
出願日： 2012年11月08日
公開日（公表日）： 2013年05月02日
要約：

【課題】選択された物理的寸法、形状、組成、及び、空間的配置を有する高品質印刷可能半導体素子の製造、転写、組み立てのための高歩留りの経路を与える。【解決手段】大面積基板及び/又はフレキシブル基板を含む基板上へのミクロサイズ及び/又はナノサイズの半導体構造の配列の高精度の位置合わせ転写及び集積を行なう。また、バルクシリコンウエハ等の低コストバルク材料から印刷可能半導体素子を形成する方法、及び、広範囲の機能的な半導体デバイスを形成するための多目的で商業的に魅力的な印刷ベースの製造ブラットフォームを可能にするスマート材料処理を行う。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

印刷可能な半導体素子を製造するための方法であって、 (111)方位を有し、且つ、外面を有するシリコンウエハを設けるステップと、 前記シリコンウエハの前記外面上に複数の凹状形態部を形成するステップであって、前記凹状形態部の各々が、露出したシリコンウエハの底面及び側面を有する、該ステップと、 前記凹状形態部の前記側面の少なくとも一部をマスキングするステップと、 前記複数の凹状形態部の間をエッチングするステップであって、該エッチングが前記シリコンウエハの<110>方位に沿って発生することによって前記印刷可能半導体素子が製造される、該ステップと、 を含む方法。

IPC (9件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 27/095 ,  H01L 29/778

FI (6件)：

H01L27/12 B ,  H01L29/80 B ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/80 V ,  H01L29/80 E ,  H01L29/80 H

Fターム (19件)：

5F102GA01 ,  5F102GA14 ,  5F102GB04 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL05 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR03 ,  5F102GS01 ,  5F102GS07 ,  5F102GT03 ,  5F102HC16

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 3次元構造体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-143530   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 特表平7-504782
  
• 素子の選択転写方法、画像表示装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-382759   出願人：ソニー株式会社
• 特許第6787052号
  

審査官引用 (4件)

• 3次元構造体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-143530   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 特表平7-504782
  
• 素子の選択転写方法、画像表示装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-382759   出願人：ソニー株式会社
• 特許第6787052号