特許

J-GLOBAL ID：201303042034659950

β-Ga2O3系単結晶膜の製造方法

発明者： 佐々木 公平
出願人/特許権者： 株式会社タムラ製作所
代理人 (4件)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-196431
公開番号（公開出願番号）：特開2013-056803
出願日： 2011年09月08日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：

【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ-Ga2O3単結晶膜を形成することができるβ-Ga2O3単結晶膜の製造方法を提供する。【解決手段】分子線エピタキシー法により、Snを添加しながらβ-Ga2O3結晶をβ-Ga2O3基板2上、又は前記β-Ga2O3基板上に形成されたβ-Ga2O3系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、Sn添加β-Ga2O3結晶膜を形成する工程と、第1の不活性雰囲気中で前記Sn添加β-Ga2O3結晶膜に第1のアニール処理を施す工程とを含む方法により、Sn添加β-Ga2O3単結晶膜を製造する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

分子線エピタキシー法により、Snを添加しながらβ-Ga2O3結晶をβ-Ga2O3基板上、又は前記β-Ga2O3基板上に形成されたβ-Ga2O3系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、Sn添加β-Ga2O3結晶膜を形成する工程と、 第1の不活性雰囲気中で前記Sn添加β-Ga2O3結晶膜に第1のアニール処理を施す工程と、 を含むβ-Ga2O3系単結晶膜の製造方法。

IPC (9件)：

C30B 29/16 ,  C30B 23/08 ,  C30B 33/02 ,  C23C 14/58 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/26

FI (9件)：

C30B29/16 ,  C30B23/08 M ,  C30B33/02 ,  C23C14/58 A ,  C23C14/24 N ,  C23C14/08 J ,  H01L21/363 ,  H01L21/20 ,  H01L21/26 F

Fターム (30件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BB10 ,  4G077DA05 ,  4G077EA07 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077FE02 ,  4G077FE03 ,  4G077SC02 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BB09 ,  4K029BC03 ,  4K029CA02 ,  4K029DB18 ,  4K029GA01 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH00 ,  5F103KK10 ,  5F103LL20 ,  5F152LL03 ,  5F152LL09 ,  5F152LL10 ,  5F152MM01 ,  5F152NN01 ,  5F152NQ01