特許
J-GLOBAL ID：201303042249390340

パターン形成方法

発明者：
石川 貴之

石川 貴之 について

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榊原 悌互

榊原 悌互 について

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三浦 大祐

三浦 大祐 について

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小野 昇

小野 昇 について

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宇野 英満

宇野 英満 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-069251
公開番号（公開出願番号）：特開2006-249436
特許番号：特許第4702949号
出願日： 2006年03月14日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 少なくとも下記式(1)もしくは下記式(2)で示される構造を有するビシクロ化合物を基材上に付与し、該ビシクロ化合物からビシクロ骨格の一部を脱離させてπ共役系を拡張し該ビシクロ化合物を有機半導体に変換する逆ディールス・アルダー反応を用いて該ビシクロ化合物を有機半導体材料に変化させることにより、有機半導体膜を形成する有機半導体膜のパターン形成方法。 (式(1)及び(2)中、R1及びR2はそれぞれ独立して、水酸基、スルホン酸基、カルボキシル基及びアミノ基から選ばれる基を示し、Mは亜鉛、銅、マグネシウムまたはアルミニウムを示す)
IPC (4件)：
C09D 11/00 ( 200 6.01) ,  B41J 2/01 ( 200 6.01) ,  B41M 5/00 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01)
FI (4件)：
C09D 11/00 ,  B41J 3/04 101 Z ,  B41M 5/00 E ,  H01L 29/28 600
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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