特許

J-GLOBAL ID：201303042631373740

結晶欠陥を低減した化合物半導体の製造方法およびこれによって得られた化合物半導体デバイス

発明者： 江川 孝志 ,  小田 修
出願人/特許権者： 国立大学法人 名古屋工業大学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-025217
公開番号（公開出願番号）：特開2013-159544
出願日： 2012年02月08日
公開日（公表日）： 2013年08月19日
要約：

【課題】結晶積層欠陥密度を低減するSiC単結晶の製造方法とともに、この結晶を用いた電子デバイスを提供する。【解決手段】積層欠陥密度が10cm-1以下のSiC単結晶3を気相成長法あるいは溶液成長法を用いて製造する方法において、結晶成長に重要な種結晶4の温度を精度よく制御するため、種結晶4の温度測定のために少なくとも2つの熱電対5を用い、温度測定精度を±0.01°C以下とし、温度制御を±0.03°C以下とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

積層欠陥密度が10cm-1以下のSiC単結晶を気相成長法あるいは溶液成長法を用いて製造する方法において、少なくとも2つの熱電対を設けて、これら熱電対の温度測定精度を±0.01°C以下とし、温度制御を±0.03°C以下とするSiC単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/06

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B23/06

Fターム (17件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077EG25 ,  4G077EH06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4G077SA08 ,  4G077SA11