表示装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-122942
公開番号（公開出願番号）：特開2013-235277
出願日： 2013年06月11日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：

【課題】熱処理による特性変動を抑制した酸化物半導体を用いた表示装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、薄膜トランジスタと、画素電極と、光学素子と、を含む表示装置が提供される。前記薄膜トランジスタは、絶縁層と、ゲート電極と、半導体層と、ソース電極及びドレイン電極と、を含む。前記ゲート電極は、前記絶縁層の上に設けられる。前記半導体層は、前記ゲート電極の上にゲート絶縁膜を介して設けられ、酸化物層より形成される。前記画素電極は、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及び前記ドレイン電極のいずれか一方に接続され、前記酸化物層より形成され、前記半導体層よりも電気抵抗が低い。前記画素電極は、前記半導体層よりも粒径が大きく、10nm以上30nm以下の粒を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極の上にゲート絶縁膜を介して設けられ、酸化物層より形成された半導体層と、前記半導体層の上において、前記ゲート電極を挟むように離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を含む薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及び前記ドレイン電極のいずれか一方に接続され、前記酸化物層より形成され、前記半導体層よりも電気抵抗が低い画素電極と、前記画素電極に与えられる電気信号によって、光学特性の変化と、発光と、の少なくともいずれかを生ずる光学素子と、を備え、前記画素電極は、前記半導体層よりも粒径が大きく、10nm以上30nm以下の粒を含む、表示装置。

IPC (7件)：

G09F 9/30 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , G02F 1/134 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H05B 33/26

FI (8件)：

G09F9/30 338 , H01L29/78 617S , H01L29/78 618B , H01L29/78 618Z , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H05B33/26 Z

Fターム (82件)：

2H092HA03 , 2H092JA26 , 2H092JA44 , 2H092JB57 , 2H092KA08 , 2H092KB14 , 2H092NA24 , 2H192AA24 , 2H192BA01 , 2H192CB05 , 2H192CB37 , 2H192CB71 , 2H192CC72 , 2H192EA76 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC11 , 3K107CC21 , 3K107CC24 , 3K107CC33 , 3K107CC45 , 3K107DD21 , 3K107DD26 , 3K107DD46X , 3K107DD46Y , 3K107EE03 , 3K107FF04 , 3K107FF08 , 3K107FF15 , 5C094AA21 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094DA15 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA10 , 5C094FB14 , 5C094FB18 , 5C094FB20 , 5C094JA08 , 5F110AA07 , 5F110AA23 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD11 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HM18 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72

前のページに戻る