特許

J-GLOBAL ID：201303043090482709

光電変換素子

発明者： 稗田 健
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (4件)： 川上 桂子 ,  松山 隆夫 ,  坂根 剛 ,  吉永 元貴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-107567
公開番号（公開出願番号）：特開2013-235970
出願日： 2012年05月09日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：

【課題】本発明の目的は、光電変換素子を製造するときの工程数を少なくすることである。【解決手段】表面側から入射した光を電気に変換する光電変換素子(10)の製造方法であって、不純物を含む珪酸塩ガラス膜(14)をシリコン基板(12)の表面に接触させて形成する工程と、不純物を含む珪酸塩ガラス膜(14)を形成した後で、シリコン基板(12)を熱処理する工程と、シリコン基板(12)を熱処理した後で、シリコン基板(12)に接触する電極(16n、16p)を形成する工程とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面側から入射した光を電気に変換する光電変換素子の製造方法であって、 不純物を含む珪酸塩ガラス膜をシリコン基板の表面に接触させて形成する工程と、 前記珪酸塩ガラス膜を形成した後で、前記シリコン基板を熱処理する工程と、 前記シリコン基板を熱処理した後で、前記シリコン基板に接触する電極を形成する工程とを備える、光電変換素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 L

Fターム (18件)：

5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CA02 ,  5F151CA03 ,  5F151CA04 ,  5F151CA15 ,  5F151CB12 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151CB24 ,  5F151DA03 ,  5F151DA04 ,  5F151DA10 ,  5F151EA10 ,  5F151EA11 ,  5F151EA18 ,  5F151FA10 ,  5F151GA04