特許

J-GLOBAL ID：201303043345717063

配線基板、実装構造体および電子装置

発明者： 林 桂
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-216758
公開番号（公開出願番号）：特開2013-077699
出願日： 2011年09月30日
公開日（公表日）： 2013年04月25日
要約：

【課題】電子部品との接続信頼性を向上させる要求に応える配線基板を提供すること。【解決手段】金属板2と、複数の絶縁層3および絶縁層3上に配された導電層4を有し、金属板2の少なくとも一主面上に配された配線層5とを備え、絶縁層3は、金属板2の一主面に接して設けられた、金属板2よりも平面方向の熱膨張率が大きい樹脂を主成分とする第1の絶縁層6と、第1の絶縁層6上に積層された、金属板2よりも平面方向の熱膨張率が小さい第2の絶縁層7とを具備しており、第2の絶縁層7は、無機絶縁材料から成る互いに接続した複数の第1粒子を含んでいるとともに、第1粒子同士の間隙に第1の絶縁層6の一部が介在している配線基板1である。配線層5と金属板2との熱膨張差を小さくすることができ、電子部品との接続信頼性を向上させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属板と、複数の絶縁層および該複数の絶縁層上に配された導電層を有し、前記金属板の少なくとも一主面上に配された配線層とを備え、 該配線層の前記複数の絶縁層は、前記金属板の前記一主面に接して設けられた、前記金属板よりも平面方向の熱膨張率が大きい樹脂を主成分とする第1の絶縁層と、該第1の絶縁層に接するように該第1の絶縁層上に積層された、前記金属板よりも平面方向の熱膨張率が小さい第2の絶縁層とを具備しており、 該第2の絶縁層は、無機絶縁材料から成る互いに接続した複数の第1粒子を含んでいるとともに、該複数の第1粒子同士の間隙に前記第1の絶縁層の一部が介在していることを特徴とする配線基板。

IPC (1件)：

H05K 1/05

FI (1件)：

H05K1/05 A

Fターム (19件)：

5E315AA05 ,  5E315AA07 ,  5E315AA11 ,  5E315AA13 ,  5E315BB03 ,  5E315BB04 ,  5E315BB05 ,  5E315BB14 ,  5E315BB15 ,  5E315BB16 ,  5E315BB18 ,  5E315CC14 ,  5E315CC15 ,  5E315DD16 ,  5E315DD17 ,  5E315DD19 ,  5E315DD20 ,  5E315DD25 ,  5E315GG22