特許
J-GLOBAL ID：201303043765792850

トランジスタ及びその製造方法

発明者：
吉田 宏

吉田 宏 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-117354
公開番号（公開出願番号）：特開2013-247127
出願日： 2012年05月23日
公開日（公表日）： 2013年12月09日
要約：
【課題】トランジスタの閾値電圧のばらつきを低減すること。【解決手段】ソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域と、ドレイン領域との間において、チャネル長方向に延設されるとともに、チャネル幅方向に並んだ複数のトレンチと、各トレンチの側面上に形成されたエピタキシャル層と、エピタキシャル層を覆うゲート酸化膜と、ゲート酸化膜上を覆うとともに、前記複数のトレンチに埋め込まれたゲート電極とを備えたトランジスタ。【選択図】図2C
請求項（抜粋）：
ソース領域と、 ドレイン領域と、 前記ソース領域と、前記ドレイン領域との間において、チャネル長方向に延設されるとともに、チャネル幅方向に並設された複数のトレンチと、 前記複数のトレンチの側面上に形成されたエピタキシャル層と、 前記エピタキシャル層を覆うゲート酸化膜と、 前記ゲート酸化膜上を覆うとともに、前記複数のトレンチに埋め込まれたゲート電極とを備えたトランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092
FI (3件)：
H01L29/78 301H ,  H01L27/08 321C ,  H01L29/78 301V
Fターム (61件)：
5F048AA07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BB01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB14 ,  5F048BB19 ,  5F048BC07 ,  5F048BD01 ,  5F048BD02 ,  5F048BD06 ,  5F048BD09 ,  5F048BE03 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BB05 ,  5F140BB06 ,  5F140BC11 ,  5F140BC12 ,  5F140BC15 ,  5F140BE01 ,  5F140BE03 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF42 ,  5F140BF43 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG37 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH17 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM