特許

J-GLOBAL ID：201303043898423521

単結晶基板、それを用いて得られるIII族窒化物結晶及びIII族窒化物結晶の製造方法

発明者： 藤戸 健史 ,  内山 泰宏
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (3件)： 濱田 百合子 ,  古館 久丹子 ,  山崎 智子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-111820
公開番号（公開出願番号）：特開2013-173675
出願日： 2013年05月28日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：

【課題】本発明は、クラックの発生を抑制し、III族窒化物の大面積で厚膜の結晶を成長させることができる下地基板を提供する。【解決手段】本発明は、III族窒化物結晶を成長させるために用いられる単結晶基板であって、 該単結晶基板の成長面における物理的形状の反り量をZ1(μm)とし、単結晶の成長面における結晶学的面形状の曲率半径から算出した反り量をZ2(μm)とした場合に、下記式(1)を満たす単結晶基板に関する。 -40<Z2/Z1<-1・・・式(1)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

III族窒化物結晶を成長させるために用いられる単結晶基板であって、当該単結晶基板の成長面における物理的形状の反り量をZ1(μm)とし、当該単結晶基板の成長面における結晶学的面形状の曲率半径から算出した反り量をZ2(μm)とした場合に、下記式(1)を満たすことを特徴とする単結晶基板。 -40<Z2/Z1<-1・・・式(1)

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  H01L21/205

Fターム (68件)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077AB03 ,  4G077AB09 ,  4G077BE15 ,  4G077CB03 ,  4G077CG01 ,  4G077CG06 ,  4G077DA02 ,  4G077DA05 ,  4G077DA18 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA01 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EC09 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EG04 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F045AA02 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC14 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045BB11 ,  5F045BB13 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DP03 ,  5F045EC05 ,  5F045EK06 ,  5F045EM09 ,  5F045GH02 ,  5F045GH08 ,  5F045GH09

引用特許：

審査官引用 (1件)

• III-V族窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びにIII-V族窒化物系発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-019506   出願人：日立電線株式会社