特許

J-GLOBAL ID：201303044654188020

窒化物半導体装置およびその製造方法

発明者： 藤重 陽介
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (4件)： 山崎 宏 ,  田中 光雄 ,  仲倉 幸典 ,  磯江 悦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-093044
公開番号（公開出願番号）：特開2013-222800
出願日： 2012年04月16日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
要約：

【課題】窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】このGaN系HFETは、アンドープGaN層1とアンドープAlGaN層2とのヘテロ界面近傍に2DEG層3が形成され、2DEG層3を貫通する凹部106,109にTi膜107,Al,TiNを順にスパッタリングし400°C〜550°CでアニールすることでTiAl系材料からなるオーミック電極(ソース電極11,ドレイン電極12)が形成されている。ソース電極11,ドレイン電極12を作製する際に形成するTi膜107のX線回折による(002)面のロッキングカーブの半値幅FWHMを7°以上とした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 上記基板上に形成されていると共にヘテロ界面を有する窒化物半導体積層体と、 上記窒化物半導体積層体上または上記窒化物半導体積層体内に少なくとも一部が形成されたTiAl系材料からなるオーミック電極と を備え、 上記窒化物半導体積層体は、 上記基板上に形成された第1の窒化物半導体層と、 上記第1の窒化物半導体層上に形成されていると共に上記第1の窒化物半導体層とヘテロ界面を形成する第2の窒化物半導体層と を有し、 上記TiAl系材料からなるオーミック電極は、 上記窒化物半導体積層体上にX線回折による(002)面のロッキングカーブの半値幅が7°以上であるTi膜を形成し、このTi膜上にAl膜を積層し、上記Al膜に上記Ti膜のTiが拡散するように熱処理して作製されていることを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417

FI (6件)：

H01L29/80 F ,  H01L29/80 H ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/50 J

Fターム (36件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB37 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR03 ,  5F102GR12 ,  5F102GS04 ,  5F102GS06 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC16 ,  5F102HC21