特許

J-GLOBAL ID：201303044669308790

半導体発光装置用基材およびそれを用いた半導体発光装置

発明者： 和田山 芳英 ,  高畑 一博 ,  猪野 昌信
出願人/特許権者： 日立電線株式会社 ,  日立ケーブルプレシジョン株式会社
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-107851
公開番号（公開出願番号）：特開2013-235985
出願日： 2012年05月09日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：

【課題】光反射層の硫化を防止して高い光反射率とボンディングワイヤの良好な接合とが長期間維持される光反射/ワイヤボンディング部を具備する半導体発光装置用基材およびそれを用いた半導体発光装置を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体発光装置用基材は、半導体発光素子を搭載しボンディングワイヤによって前記半導体発光素子と接続される金属部を有し、前記金属部は、前記半導体発光素子が搭載される面側に光反射/ワイヤボンディング部が形成され、前記光反射/ワイヤボンディング部は、銀またはニッケルからなる接合層と、チタンまたはパラジウムからなるバリア層と、アルミニウムからなる光反射層とがその順に積層された構造を有し、前記光反射層は、その厚さが0.03μm以上0.5μm以下であり、かつその平均表面粗さが0.1μm以下であることを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体発光装置用の基材であって、 前記基材は、半導体発光素子を搭載しボンディングワイヤによって前記半導体発光素子と接続される金属部を有し、 前記金属部は、前記半導体発光素子が搭載される面側に光反射/ワイヤボンディング部が形成され、 前記光反射/ワイヤボンディング部は、銀またはニッケルからなる接合層と、チタンまたはパラジウムからなるバリア層と、アルミニウムからなる光反射層とがその順に積層された構造を有し、 前記光反射層は、その厚さが0.03μm以上0.5μm以下であり、かつその平均表面粗さが0.1μm以下であることを特徴とする半導体発光装置用基板。

IPC (5件)：

H01L 33/62 ,  H01L 33/60 ,  H01L 23/50 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/60

FI (5件)：

H01L33/00 440 ,  H01L33/00 432 ,  H01L23/50 S ,  H01L23/12 Q ,  H01L21/60 301B

Fターム (32件)：

5F044AA01 ,  5F044GG01 ,  5F044GG10 ,  5F044JJ03 ,  5F067AA00 ,  5F067AA04 ,  5F067AB02 ,  5F067BB01 ,  5F067DA00 ,  5F067DE01 ,  5F067DF01 ,  5F067EA01 ,  5F067EA04 ,  5F142AA51 ,  5F142AA64 ,  5F142AA65 ,  5F142AA74 ,  5F142BA02 ,  5F142BA24 ,  5F142CA02 ,  5F142CC04 ,  5F142CC12 ,  5F142CC14 ,  5F142CC26 ,  5F142CE04 ,  5F142CE06 ,  5F142CE08 ,  5F142CE13 ,  5F142CE32 ,  5F142CG03 ,  5F142FA01 ,  5F142FA21