特許
J-GLOBAL ID：201303044711488907
レーザ加工方法及びレーザ加工装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 石田 悟
, 荒井 寿王
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-086787
公開番号（公開出願番号）：特開2013-128088
出願日： 2012年04月05日
公開日（公表日）： 2013年06月27日
要約：
【課題】切断能力を低下させることなく金属配線の損傷を抑制する。【解決手段】半導体基板2と金属配線4bを含む積層部4とを具備する加工対象物1に対し、積層部4側の表面3とは反対側の裏面21からレーザ光Lを照射し、改質領域7を切断予定ライン5に沿って加工対象物1の内部に形成する。ここで、レーザ光Lを照射し加工対象物1内の表面3側位置に第1改質領域7aを形成する第1改質領域形成工程と、レーザ光Lを照射し加工対象物1内の第1改質領域7aよりも裏面21側位置に第2改質領域7bを形成する第2改質領域形成工程と、を含んでおり、第1改質領域7aを形成する際に照射するレーザ光Lのパルス幅は、第2改質領域7bを形成する際に照射するレーザ光Lのパルス幅よりも小さくする。【選択図】図13
請求項（抜粋）：
半導体基板と前記半導体基板上に積層され金属配線を含む積層部とを具備する加工対象物に対し、当該加工対象物において前記積層部側の表面とは反対側の裏面からレーザ光を照射することにより、切断の起点となる改質領域を切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に形成するレーザ加工方法であって、
前記レーザ光を照射し、前記加工対象物の内部における前記表面側の位置に第1改質領域を形成する第1改質領域形成工程と、
前記レーザ光を照射し、前記加工対象物の内部における前記第1改質領域よりも前記裏面側の位置に第2改質領域を形成する第2改質領域形成工程と、を含み、
前記第1改質領域を形成する際に照射する前記レーザ光のパルス幅は、前記第2改質領域を形成する際に照射する前記レーザ光のパルス幅よりも小さいことを特徴とするレーザ加工方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, B23K 26/40
, B23K 26/38
H01L21/78 B
, B23K26/40
, B23K26/38 320
4E068AA02
, 4E068AA05
, 4E068AE00
, 4E068CA02
, 4E068CA03
, 4E068CA09
, 4E068CA15
, 4E068CE01
, 4E068DA10
, 4E068DB11
