特許

J-GLOBAL ID：201303044782201480

剥離方法

発明者： 高山 徹 ,  丸山 純矢 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-063653
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175738
出願日： 2013年03月26日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：

【課題】被剥離層に損傷を与えずに、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする剥離方法を提供する。【解決手段】基板10上に第1の材料層11を設け、前記第1の材料層11に接して第2の材料層12を設け、さらに積層成膜または500°C以上の熱処理やレーザー光の照射処理を行っても、剥離前の第1の材料層が引張応力を有し、且つ第2の材料層が圧縮応力であれば、物理的手段で容易に第2の材料層12の層内または界面において、きれいに分離することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、前記基板上に引張応力を有する第1の材料層が設けられており、前記第1の材料層が設けられた基板上に少なくとも前記第1の材料層と接し、且つ圧縮応力を有する第2の材料層を含む積層からなる被剥離層を形成した後、該被剥離層を前記第1の材料層が設けられた基板から物理的手段により前記第2の材料層の層内または界面において剥離することを特徴とする剥離方法。

IPC (5件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L27/12 B ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627D

Fターム (111件)：

5F110AA08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110FF04 ,  5F110FF12 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG45 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC07 ,  5F152CC08 ,  5F152CD15 ,  5F152CE05 ,  5F152CE06 ,  5F152CE14 ,  5F152CE24 ,  5F152CE32 ,  5F152CE36 ,  5F152CE45 ,  5F152CF18 ,  5F152DD02 ,  5F152DD04 ,  5F152DD05 ,  5F152DD09 ,  5F152EE14 ,  5F152FF03 ,  5F152FF06 ,  5F152FF11 ,  5F152FF22 ,  5F152FF29 ,  5F152FF30 ,  5F152FF35 ,  5F152FF36 ,  5F152FF47 ,  5F152FG04 ,  5F152FG18 ,  5F152FH01 ,  5F152FH05 ,  5F152LP01 ,  5F152LP09 ,  5F152MM04 ,  5F152NN12 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NN19 ,  5F152NN20 ,  5F152NP14 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-060593   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-033377   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所