特許
J-GLOBAL ID：201303045233519008
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-111339
公開番号（公開出願番号）：特開2013-239560
出願日： 2012年05月15日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：
【課題】基材上に、接着剤を介してシリコンチップを接着してなる半導体装置を製造するにあたって、接着剤を加熱して硬化するときに、熱の広がりによる周囲部材の熱損傷を最小限に抑え、効率良く接着剤を硬化させることのできる製造方法を提供する。【解決手段】基材10上に、接着剤20を介してシリコンチップ30を搭載した後、シリコンチップ30を透過する赤外波長を有するレーザ光Lを、シリコンチップ30上から照射してシリコンチップ30を透過させることにより、接着剤20をレーザ光Lで直接加熱して硬化する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基材(10)と、前記基板上に接着剤(20)を介して搭載されて固定されたシリコン半導体よりなるシリコンチップ(30)と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記基材、前記シリコンチップ、および前記接着剤を用意する用意工程と、
前記基材上に、前記接着剤を介して前記シリコンチップを搭載するチップ搭載工程と、
前記シリコンチップを透過する赤外波長を有するレーザ光(L)を、前記シリコンチップ上から照射して前記シリコンチップを透過させることにより、前記接着剤を前記レーザ光で直接加熱して硬化するレーザ加熱工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F047AA11
, 5F047AA17
, 5F047BA23
, 5F047BB11
, 5F047BB16
, 5F047FA08
, 5F047FA22
, 5F047FA57
