特許

J-GLOBAL ID：201303045745107151

不揮発性抵抗変化素子、書込み方法、および不揮発性メモリ

発明者： 陳 ジィエジィ ,  松 澤 一 也 ,  三 谷 祐一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  赤岡 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-016724
公開番号（公開出願番号）：特開2013-157444
出願日： 2012年01月30日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：

【課題】動作ばらつきを抑えることを可能にする。【解決手段】本実施形態による不揮発性抵抗変化素子は、第1電極と、金属元素を有する第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた可変抵抗層と、前記可変抵抗層の対向する少なくとも一対の側面に設けられた絶縁膜と、前記可変抵抗層の対向する前記少なくとも一対の側面に前記絶縁膜を挟んで設けられた第3電極と、を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極と、 金属元素を有する第2電極と、 前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた可変抵抗層と、 前記可変抵抗層の対向する少なくとも一対の側面に設けられた絶縁膜と、 前記可変抵抗層の対向する前記少なくとも一対の側面に前記絶縁膜を挟んで設けられた第3電極と、 を備えていることを特徴とする不揮発性抵抗変化素子。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  G11C 13/00

FI (6件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  G11C13/00 110C ,  G11C13/00 110R ,  G11C13/00 150

Fターム (10件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA33 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA19