特許
J-GLOBAL ID：201303045933290800
MEMS圧力センサシステム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
藤原 康高
, 手塚 史展
, 小林 幹雄
, 山下 正成
, 泉 剛司
, 小川 百合香
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-081644
公開番号（公開出願番号）：特開2013-165977
出願日： 2013年04月09日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
要約：
【課題】本発明によれば、高感度で連続的に圧力測定を行うことができるMEMS圧力センサシステムを提供することができる。【解決手段】歪を検知する複数の磁気抵抗効果素子を備えるMEMS圧力センサと、前記複数の磁気抵抗効果素子のそれぞれで測定された第1の電気抵抗変化量及び第2の電気抵抗変化量を送受信する電子機器とを備えたMEMS圧力センサシステムであって、前記電子機器は、前記第1電気抵抗変化量と前記第2の電気抵抗変化量との差分を計算する計算部と、前記複数の磁気抵抗効果素子の中から前記差分が最大である磁気抵抗効果素子を特定するように制御する指示情報を生成する第1の制御部と、前記指示情報を前記MEMS圧力センサへ送信する第1の送信部と、を備えることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
歪を検知する複数の磁気抵抗効果素子を備えるMEMS圧力センサと、前記複数の磁気
抵抗効果素子のそれぞれで測定された第1の電気抵抗変化量及び第2の電気抵抗変化量を
送受信する電子機器とを備えたMEMS圧力センサシステムであって、
前記電子機器は、前記第1電気抵抗変化量と前記第2の電気抵抗変化量との差分を計算
する計算部と、
前記複数の磁気抵抗効果素子の中から前記差分が最大である磁気抵抗効果素子を特定す
るように制御する指示情報を生成する第1の制御部と、
前記指示情報を前記MEMS圧力センサへ送信する第1の送信部と、
を備えるMEMS圧力センサシステム。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
2F055AA05
, 2F055BB20
, 2F055CC11
, 2F055DD01
, 2F055EE29
, 2F055FF11
, 2F055GG49
, 4C017AA08
, 4C017AB02
, 4C017AC01
, 4C017BC11
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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