特許
J-GLOBAL ID：201303045960909501
不揮発性メモリセル、不揮発性メモリ装置、及び不揮発性メモリ装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
渡邊 隆
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-118465
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256884
出願日： 2012年05月24日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：
【課題】不揮発性メモリセルを提供する。【解決手段】不揮発性メモリセルは、互いに離隔され順次に積層された第1層間絶縁膜及び第2層間絶縁膜、第1層間絶縁膜と第2層間絶縁膜とを貫く第1電極、第1電極の側面に沿って第1電極と並ぶように形成された抵抗変化膜、及び第1層間絶縁膜と第2層間絶縁膜との間に形成された第2電極を含み、第2電極は金属からなる導電膜と導電膜が含む導電物質の拡散を防止する拡散防止膜を含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
互いに離隔され順次に積層された第1層間絶縁膜及び第2層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜と前記第2層間絶縁膜とを貫く第1電極と、
前記第1電極の側面に沿って前記第1電極と並ぶように形成された抵抗変化膜と、
前記第1層間絶縁膜と前記第2層間絶縁膜との間に形成された第2電極と、を含み、
前記第2電極は金属からなる導電膜と、前記導電膜が含む導電物質の拡散を防止する拡散防止膜と、を含む不揮発性メモリセル。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA10
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083MA06
, 5F083MA16
