特許
J-GLOBAL ID：201303045988934951

エッチング方法及びこれに用いられるエッチング液、これを用いた半導体基板製品の製造方法

発明者：
上村 哲也

上村 哲也 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 飯田 敏三 ,  宮前 尚祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-134918
公開番号（公開出願番号）：特開2013-033942
出願日： 2012年06月14日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
要約：
【課題】Tiを含む層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体基板製品の製造方法を提供する。【解決手段】 Tiを含む第1層と、Cu、SiO、SiN、SiOC、及びSiONの少なくとも1種を含む第2層とを有する半導体基板に特定のエッチング液を適用し、前記第1層を選択的にエッチングする方法であり、前記特定のエッチング液が、有機アミン化合物からなる塩基性化合物と酸化剤とを水性媒体中に含み、そのpHが7〜14であるエッチング方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
Tiを含む第1層と、Cu、SiO、SiN、SiOC、及びSiONの少なくとも1種を含む第2層とを有する半導体基板に特定のエッチング液を適用し、前記第1層を選択的にエッチングする方法であり、前記特定のエッチング液が有機アミン化合物からなる塩基性化合物と酸化剤とを水性媒体中に含み、そのpHが7〜14であることを特徴とするエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  C23F 1/44 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L21/306 F ,  C23F1/44 ,  H01L21/90 A
Fターム (31件)：
4K057WA13 ,  4K057WB08 ,  4K057WB11 ,  4K057WB15 ,  4K057WE02 ,  4K057WE25 ,  4K057WE30 ,  4K057WG02 ,  4K057WG03 ,  4K057WG06 ,  4K057WM03 ,  4K057WM04 ,  4K057WN01 ,  5F033HH33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX21 ,  5F043AA21 ,  5F043BB14 ,  5F043EE07
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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