特許
J-GLOBAL ID:201303046233085918
はんだ付け不良予測方法およびはんだ付け不良予測装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
田澤 英昭
, 濱田 初音
, 久米 輝代
, 河村 秀央
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-050473
公開番号(公開出願番号):特開2013-187298
出願日: 2012年03月07日
公開日(公表日): 2013年09月19日
要約:
【課題】リフロー組み立て時、リフロー温度変化に応じた電子部品および基板の反りの変化で、ショートまたはオープン不良の可能性が高い信頼性の低いはんだ接合箇所を、大量の基板を実装することなく、少数の基板の部品組み立て品で未然に予測することができるはんだ付け不良予測方法およびはんだ付け不良予測装置を提供する。【解決手段】はんだが溶融している各温度Tnにおけるはんだ接合部の直径に基づいて、はんだが溶融している各温度Tnにてショート不良またはオープン不良を起こすはんだ接合部を判定し、当該はんだ接合部を、はんだ付け後およびその後にはんだ付け不良を発生する可能性があるはんだ接合部として予測する。【選択図】図23
請求項(抜粋):
複数のはんだボールを介して基板上に配置され、前記複数のはんだボールを溶融、凝固させることにより、当該基板に実装される電子部品の前記はんだボールによるはんだ接合部のうち、はんだ付け不良を起こす可能性があるはんだ接合部を予測するはんだ付け不良予測方法において、
前記はんだ接合部のはんだ量を算出するステップと、
前記はんだ接合部の直径のX線計測結果、前記はんだ接合部が前記電子部品および前記基板と接触する各接触面の寸法、および、前記はんだ接合部のはんだ量の算出結果を用いて、前記電子部品が前記基板に実装されたはんだ凝固後のX線計測時の構造体における前記はんだ接合部の高さを算出し、前記はんだ接合部の高さの算出結果から、はんだ凝固後のX線計測時の前記構造体のひずみ率を算出するステップと、
はんだが溶融している各温度での前記電子部品および前記基板の反り量を用いて、前記はんだが溶融している各温度での前記構造体のひずみ率を補正し、当該ひずみ率から前記はんだが溶融している各温度での前記はんだ接合部の高さを補正するステップと、
前記はんだが溶融している各温度での前記はんだ接合部の高さを用いて当該はんだ接合部の直径を算出するステップと、
前記はんだが溶融している各温度での前記はんだ接合部の直径に基づいて、前記はんだが溶融している各温度にてショート不良またはオープン不良を起こすはんだ接合部を判定し、当該はんだ接合部を、はんだ付け時およびその後にはんだ付け不良を発生する可能性があるはんだ接合部として予測するステップとを備えることを特徴とするはんだ付け不良予測方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (9件):
5E319AA03
, 5E319AB05
, 5E319AC02
, 5E319BB05
, 5E319CC33
, 5E319CD51
, 5E319CD52
, 5E319GG15
, 5E319GG20
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