特許
J-GLOBAL ID：201303046248130642
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
前田 実
, 山形 洋一
, 篠原 昌彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-091953
公開番号（公開出願番号）：特開2013-222754
出願日： 2012年04月13日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
要約：
【課題】製造プロセスの簡略化及び不良品発生率の低下を実現できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に複数層のドライフィルム310,311を重ねて貼り付け、複数層のドライフィルム310,311の各々を厚さ方向に貫通するホールを形成し、メッキ処理によりホール内にポスト電極313を形成する工程と、前記複数層のドライフィルム310,311の少なくとも1つの層のドライフィルムに、スリット320を形成する工程とを有する。【選択図】図17
請求項（抜粋）：
基板上に複数層のフォトレジストドライフィルムを重ねて貼り付け、前記複数層のフォトレジストドライフィルムの各々を厚さ方向に貫通するホールを形成し、メッキ処理により前記ホール内にポスト電極を形成する工程と、
前記複数層のフォトレジストドライフィルムの少なくとも1つの層のフォトレジストドライフィルムに、スリットを形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/12 501P
, H01L21/92 604B
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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