特許

J-GLOBAL ID：201303046333555644

振動式トランスデューサおよび振動式トランスデューサの製造方法

発明者： 吉田 勇作
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-120718
公開番号（公開出願番号）：特開2013-246083
出願日： 2012年05月28日
公開日（公表日）： 2013年12月09日
要約：

【課題】振動式トランスデューサの振動子の製造工程を簡略化する方法を提供する。【解決手段】第1型半導体基板110上に第2型半導体層120、第1型半導体層130を順に重ねる成膜工程と、第2型半導体層120を含む内部領域に、上部と下部の幅が広くなっている2つの溝部を、平行に形成するエッチング工程と、水素雰囲気中でアニール処理を行なうアニール工程と、を有することを振動式トランスデューサの製造方法。エッチング工程は、異方性エッチング、等方性エッチングを繰り返し行なうことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1型半導体基板上に第2型半導体層、第1型半導体層が順に重ねられ、 前記第2型半導体層に、振動子および電極が空間を隔てて形成され、前記振動子の前記第1型半導体基板側、前記第1型半導体層側とも隙間が設けられていることを特徴とする振動式トランスデューサ。

IPC (2件)：

G01L 9/00 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01L9/00 307 ,  H01L29/84 Z

Fターム (28件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055CC51 ,  2F055DD05 ,  2F055EE39 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG12 ,  4M112AA01 ,  4M112BA08 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA04 ,  4M112CA11 ,  4M112CA12 ,  4M112CA13 ,  4M112CA14 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA14 ,  4M112DA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112EA18 ,  4M112FA20

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許第5158160号
  
• 特許第4586425号
  
• 振動式トランスデューサの振動子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-045041   出願人：横河電機株式会社

審査官引用 (1件)

• 振動式トランスデューサとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-203032   出願人：横河電機株式会社