特許
J-GLOBAL ID:201303046601821905
赤外線センサアレー
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-077415
公開番号(公開出願番号):特開2013-207240
出願日: 2012年03月29日
公開日(公表日): 2013年10月07日
要約:
【課題】小型で信頼性が高く、量産に適した赤外線センサアレーを提供する。【解決手段】基板10上に形成されたM行N列に配列された赤外線受光部と、列毎に設けられ、赤外線受光部の一端に接続される第1の配線61と、行毎に設けられ、赤外線受光部の他端に接続される第2の配線62とを備え、赤外線受光部は基板10上に形成された第1導電型の第1の半導体層及び第2導電型の半導体層を含むフォトダイオード構造を有する半導体積層部を備える赤外線受光素子を備え、第1の配線61と第2の配線62との交差部には第1導電型の第2の半導体層21が形成され、交差部において、第1の配線61は絶縁層51を介して第1導電型の第2の半導体層21上に形成され、第2の配線62は絶縁層51の一部に形成されたコンタクトホール52を介して第1導電型の第2の半導体層21に電気的に接続されている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板上に形成されたM行N列に配列された複数の赤外線受光部と、
前記列毎に設けられ、前記複数の赤外線受光部の各々の一端に接続される第1の配線と、
前記行毎に設けられ、前記複数の赤外線受光部の各々の他端に接続される第2の配線と
を備える赤外線センサアレーであって、
前記赤外線受光部は、
前記基板上に形成された第1導電型の第1の半導体層及び第2導電型の半導体層を含むPN接合又はPIN接合のフォトダイオード構造を有する半導体積層部を備える複数の赤外線受光素子を備え、
前記第1の配線と前記第2の配線との交差部における前記基板上には、第1導電型の第2の半導体層が形成され、
前記交差部において、
前記第1の配線は、絶縁層を介して前記交差部の前記第1導電型の第2の半導体層上に形成され、
前記第2の配線は、前記絶縁層の一部に形成されたコンタクトホールを介して前記交差部の前記第1導電型の第2の半導体層に電気的に接続されていることを特徴とする赤外線センサアレー。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L27/14 A
, H01L31/10 A
Fターム (13件):
4M118AB01
, 4M118AB10
, 4M118BA03
, 4M118CA03
, 4M118CA05
, 4M118CB01
, 5F049MA02
, 5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049NB03
, 5F049RA02
, 5F049SE20
, 5F049WA01
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
赤外線検出装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-174251
出願人:三菱電機株式会社
-
特開昭63-040347
審査官引用 (2件)
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赤外線検出装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-174251
出願人:三菱電機株式会社
-
特開昭63-040347
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