特許

J-GLOBAL ID：201303046680251132

半導体モジュール

発明者： 藤田 敏博 ,  城所 寛育 ,  林 敬昌
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-041451
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179744
出願日： 2012年02月28日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：

【課題】 シャント抵抗を有しつつ、部品点数および配線箇所を低減する半導体モジュールを提供する。【解決手段】 インバータ回路を構成する複数のMOS等がモジュール化された半導体モジュール10において、下アームのMOS64と低電位側リードフレーム36とは、シャント抵抗20によって接続される。これにより、シャント抵抗20は、下アームのMOS64と低電位側リードフレーム36との間の駆動電流経路を構成する「第2接続導体」としての機能と、負荷に流れる電流の大きさを検出する機能とを兼ねる。したがって、第2接続導体としての銅クリップ等の部材とシャント抵抗とを別に設ける構成に比べ、部品点数および配線箇所を低減することができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

ブリッジ回路の上アームおよび下アームを構成する複数のスイッチング素子(61〜66)と、 電力供給源(50)の高電位電極に接続し、上アームの前記スイッチング素子が搭載される高電位側導体(34)と、 負荷(80)に接続し、下アームの前記スイッチング素子が搭載される負荷側導体(35)と、 電力供給源の低電位電極に接続する低電位側導体(36)と、 一端が前記高電位側導体上の上アームの前記スイッチング素子に接続し、他端が前記負荷側導体に接続する第1接続導体(27)と、 一端が前記負荷側導体上の下アームの前記スイッチング素子に接続し、他端が前記低電位側導体に接続する第2接続導体(20)と、 を備え、 前記第1接続導体および前記第2接続導体の少なくとも一方の接続導体は、一端と他端との間を流れる電流の大きさを検出するシャント抵抗(20)として機能することを特徴とする半導体モジュール(11)。

IPC (1件)：

H02M 7/48

FI (1件)：

H02M7/48 Z

Fターム (11件)：

5H007AA06 ,  5H007BB06 ,  5H007CA02 ,  5H007CB05 ,  5H007CC23 ,  5H007DA05 ,  5H007DB01 ,  5H007DB12 ,  5H007DC02 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04