特許

J-GLOBAL ID：201303046796909950

SiCOHLOW-K膜の蒸着方法

発明者： デュッサラ、クリスティアン ,  ドニア、フランソワ ,  アンダーソン、カーティス ,  マクアンドリュー、ジェームズ・ジェイ.エフ.
出願人/特許権者： レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
代理人 (14件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  白根 俊郎 ,  峰 隆司 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-554022
公開番号（公開出願番号）：特表2013-520030
出願日： 2011年02月17日
公開日（公表日）： 2013年05月30日
要約：

次世代の誘電体膜に適切な誘電率およびヤング率を有するSiCOH膜を成膜するために適合した前駆体が開示される。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

基板上にSiCOH膜層を形成する方法であって、 少なくとも1つの基板をその中に有する反応チャンバーを準備する工程、 以下の群から選択されるSi-(CH2)n-Si含有前駆体(n=1または2を伴なう)を前記反応チャンバー内に導入する工程、

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/50

FI (3件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/42 ,  C23C16/50

Fターム (19件)：

4K030AA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA44 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BH01 ,  5F058BH17