特許
J-GLOBAL ID：201303046833519733
ウエーハの分割方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
松本 昂
, 大上 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-037410
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175499
出願日： 2012年02月23日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：
【課題】ウエーハを確実に個々のデバイスに分割することのできるウエーハの分割方法を提供する。【解決手段】ウエーハ11を個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、パルスレーザービームの集光点を該第1の分割予定ラインの内部に位置付けて照射し、ウエーハ内部に二層以上の改質層19を積層して形成する第1の改質層形成工程と、レーザービームの集光点を該第2の分割予定ラインの内部に位置付けて照射し、ウエーハ内部に二層以上の改質層21を積層して形成する第2の改質層形成工程と、積層して形成された互いに隣接する改質層19と改質層21との間にウエーハ11に対して、該第1の分割予定ラインに沿ってクラックを助長させるクラック助長層23を形成するクラック助長層形成工程と、ウエーハ11に外力を付与して該第1及び該第2の分割予定ラインに沿ってウエーハ11を割断し個々のデバイスに分割する分割工程と、を具備する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
複数のデバイスが第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと直交する第2の分割予定ラインとによって区画されて表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザービームの集光点を該第1の分割予定ラインの内部に位置付けて照射し、該第1の分割予定ラインに沿ってウエーハ内部に二層以上の改質層を積層して形成する第1の改質層形成工程と、
ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザービームの集光点を該第2の分割予定ラインの内部に位置付けて照射し、該第2の分割予定ラインに沿ってウエーハ内部に二層以上の改質層を積層して形成する第2の改質層形成工程と、
該第1の改質層形成工程において積層して形成された互いに隣接する改質層と改質層との間にウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザービームの集光点を位置付けて、パルスレーザービームを該第1の分割予定ラインに沿って照射してウエーハ内部にクラックを助長させるクラック助長層を形成するクラック助長層形成工程と、
該クラック助長層形成工程を実施した後、ウエーハに外力を付与して該第1の分割予定ライン及び該第2の分割予定ラインに沿ってウエーハを割断し個々のデバイスに分割する分割工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハの分割方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/78 Q
, H01L21/78 B
, H01L21/78 V
