特許
J-GLOBAL ID：201303046873954823

半導体製造装置および半導体製造方法

発明者：
鈴木 邦彦

鈴木 邦彦 について

, 
三谷 慎一

三谷 慎一 について


出願人/特許権者：
株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー について


代理人 (1件)： 特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-147529
公開番号（公開出願番号）：特開2013-251558
出願日： 2013年07月16日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：
【課題】本発明は、ウェーハを均一に加熱することができ、生産性高く、均一な成膜を行うことが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体製造装置を構成するヒータ17bは、ウェーハwと離間するように設置され、ウェーハwの中心を通る軸を中心軸として回転対称となるようにそれぞれ離間して配置され、中央部にそれぞれ電極が設けられ、これらの電極が共通の配線用部品に対して接続された複数のエレメント21a、21b、21c、21dを有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ウェーハが導入される反応室と、 この反応室の上部に配置され、プロセスガスを供給するガス供給機構と、 前記反応室からガスを排出するガス排出機構と、 前記ウェーハを保持するサセプタと、 前記ウェーハと離間するように設置され、前記ウェーハの中心を通る軸を中心軸として回転対称となるようにそれぞれ離間して配置され、中央部にそれぞれ電極が設けられ、これらの電極が共通の配線用部品に対して接続された複数のエレメントを有するヒータと、 前記ウェーハを回転させる回転駆動機構と、 を備えることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/46
FI (3件)：
H01L21/205 ,  H01L21/31 B ,  C23C16/46
Fターム (35件)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA17 ,  4K030KA09 ,  4K030KA23 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045EF05 ,  5F045EF13 ,  5F045EF14 ,  5F045EK05 ,  5F045EK07 ,  5F045EK08 ,  5F045EK21 ,  5F045EK22 ,  5F045EK30 ,  5F045EM10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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