特許

J-GLOBAL ID：201303047249411935

磁気メモリの書き換え方法と回路

発明者： 辻 幸秀 ,  崎村 昇 ,  根橋 竜介 ,  多田 あゆ香
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-045840
公開番号（公開出願番号）：特開2013-182643
出願日： 2012年03月01日
公開日（公表日）： 2013年09月12日
要約：

【課題】書き込み時間の設定自由度を高く維持したまま電流値の絶対値を下げる磁気メモリの書き込み方法と回路の提供。 【解決手段】磁化層の磁化を反転させて書き込みを行う磁気メモリに対して、少なくとも前記磁化層における第1及び第2の磁気共振状態をそれぞれ誘起する第1の共振パルスP1と第2の共振パルスP2のパルス列を印加して書き込みを行う。 【選択図】図13

請求項（抜粋）：

自発磁化を反転させて書き込みを行う磁気メモリに対して、少なくとも、第1の磁気共振状態を誘起する第1のパルス周期の第1の共振パルス列と、前記第1の磁気共振状態と異なる第2の磁気共振状態を誘起する第2のパルス周期の第2の共振パルス列を印加して書き込みを行う、ことを特徴とする磁気メモリの書き込み方法。

IPC (5件)：

G11C 11/15 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11C11/15 140 ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  G11C11/15 100 ,  H01L43/08 Z

Fターム (15件)：

4M119AA01 ,  4M119BB01 ,  4M119BB20 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD52 ,  5F092AB06 ,  5F092AC04 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092AD28 ,  5F092DA03