特許

J-GLOBAL ID：201303047437768808

基板処理装置および基板処理方法

発明者： 野村 久志 ,  野口 陽平 ,  谷山 智志
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-108484
公開番号（公開出願番号）：特開2013-012719
出願日： 2012年05月10日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
要約：

【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、GaNのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】エピタキシャル膜を有する基板を処理する基板処理装置において、前記基板処理装置は、前記基板を処理する処理室201と、前記処理室内に少なくとも前記エピタキシャル膜を形成する原料ガスとクリーニングガスを供給するガス供給源240と、前記処理室内の少なくとも温度と圧力を制御する制御部280と、前記制御部は、前記処理室内が予め定められた温度および圧力になると前記処理室内をクリーニングガスを供給するように前記ガス供給源を制御する、ことを特徴とした基板処理装置。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

エピタキシャル膜を有する基板を処理する基板処理装置において、 前記基板処理装置は、前記基板を処理する処理室と、 前記処理室内に少なくとも前記エピタキシャル膜を形成する原料ガスとクリーニングガスを供給するガス供給ユニットと、 前記処理室内の少なくとも温度と圧力を制御する制御部と、 前記制御部は、前記処理室内が予め定められた温度および圧力になると前記処理室内をクリーニングガスを供給するように前記ガス供給ユニットを制御する、ことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/44 J

Fターム (45件)：

4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030LA14 ,  5F045AA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045DA53 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EB06 ,  5F045EB15 ,  5F045EC10 ,  5F045EE13 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EN05