特許
J-GLOBAL ID：201303047566197442
基材の処理方法、半導体装置および仮固定用組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人SSINPAT
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-256118
公開番号（公開出願番号）：特開2013-110352
出願日： 2011年11月24日
公開日（公表日）： 2013年06月06日
要約：
【課題】赤外線を用いた基材の剥離工程において、支持体の温度上昇による赤外線の透過率の低下を防ぎ、支持体から基材を効率的に剥離することが可能な基材の処理方法を提供する。【解決手段】(1)基材とシリコンウエハからなる支持体とを、光熱変換層を有する仮固定材を介して仮固定する工程、(2)前記基材を加工する工程、(3)前記支持体の仮固定材に対する接触面とは反対側の面には焦点を絞らずに、前記支持体側から、赤外線を前記仮固定材に照射する工程、および(4)前記支持体から前記基材を剥離する工程を有する、基材の処理方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(1)基材とシリコンウエハからなる支持体とを、
光熱変換層を有する仮固定材を介して仮固定する工程、
(2)前記基材を加工する工程、
(3)前記支持体の仮固定材に対する接触面とは反対側の面には焦点を絞らずに、
前記支持体側から、赤外線を前記仮固定材に照射する工程、および
(4)前記支持体から前記基材を剥離する工程
を有する、基材の処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/304 622J
, H01L21/02 C
5F057AA11
, 5F057BA11
, 5F057BB03
, 5F057CA14
, 5F057CA25
, 5F057CA36
, 5F057DA11
, 5F057DA21
, 5F057EC07
, 5F057EC17
, 5F057FA22
, 5F057FA28
, 5F057FA30
