特許
J-GLOBAL ID：201303047616381010

弾性波デバイス

発明者：
岩城 匡郁

岩城 匡郁 について


出願人/特許権者：
太陽誘電株式会社

太陽誘電株式会社 について


代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-127034
公開番号（公開出願番号）：特開2013-251848
出願日： 2012年06月04日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：
【課題】 多層基板の表面にフィルタチップが実装された弾性波デバイスにおいて、多層基板に形成されたインダクタによるフィルタ特性への影響を抑制すること。【解決手段】 複数の配線層101〜104を含む多層基板10上に実装された弾性波フィルタチップ(20、22)と、弾性波フィルタチップの内部回路と電気的に接続され、第1配線層102に形成された第1配線16aと、第2配線層103に形成された第2配線16bと、多層基板10を貫通し、第1配線16aと第2配線16bとを接続するビア配線18と、を備え、第1配線16a、第2配線16b、及びビア配線18により、磁束の向きが多層基板10の積層方向と交差する第1インダクタL1が形成されていることを特徴とする弾性波デバイスである。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
複数の配線層を含む多層基板上に実装された弾性波フィルタチップと、 前記弾性波フィルタチップの内部回路と電気的に接続され、前記多層基板の第1配線層に形成された第1配線と、 前記第1配線層と異なる第2配線層に形成された第2配線と、 前記多層基板を貫通し、前記第1配線と前記第2配線とを接続するビア配線と、を備え、 前記第1配線、前記第2配線、及び前記ビア配線により、磁束の向きが前記多層基板の積層方向と交差する第1インダクタが形成されていることを特徴とする弾性波デバイス。
IPC (5件)：
H03H 9/25 ,  H03H 9/64 ,  H03H 9/17 ,  H03H 9/54 ,  H03H 9/02
FI (5件)：
H03H9/25 A ,  H03H9/64 Z ,  H03H9/17 F ,  H03H9/54 Z ,  H03H9/02 K
Fターム (15件)：
5J097AA10 ,  5J097AA17 ,  5J097BB02 ,  5J097BB15 ,  5J097CC05 ,  5J097JJ06 ,  5J097JJ07 ,  5J097JJ09 ,  5J097KK10 ,  5J097LL01 ,  5J108AA07 ,  5J108CC11 ,  5J108EE04 ,  5J108JJ01 ,  5J108JJ04
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM