特許

J-GLOBAL ID：201303047617073492

酸化グラフェン構造体、その製造方法、およびそれらによる電界効果トランジスタ作成工程

発明者： 宮本 良之
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-212270
公開番号（公開出願番号）：特開2013-035739
出願日： 2011年09月28日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：

【課題】電気絶縁部と伝導部の作り分けが必要なトランジスタの作成において、制御された領域で酸化グラフェンをグラフェンに還元できる方法を提供する。【解決手段】波形と電界強度が調整されたフェムト秒レーザー光の照射により酸素原子をグラフェンから遠ざかる方向に高い運動エネルギーを集中して与えて酸素原子をグラフェン表面より脱離させ、酸化グラフェン4を還元する。また、時間依存第一原理計算の結果から最適化されたフェムト秒レーザーの波形と電界の最大瞬間強度を予測しておき、実験を行う際にその条件を利用することで効率よく酸素原子をグラフェンから抜き出すことを実現する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

酸化グラフェンとグラフェンとの構造体であって、 前記酸化グラフェンと前記グラフェンとが同一平面上に化学結合をして形成され、 前記平面は前記酸化グラフェンの領域と前記グラフェンの領域とで分割されている、 ことを特徴とするシート状材料。

IPC (1件)：

C01B 31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101Z

Fターム (11件)：

4G146AA01 ,  4G146AA15 ,  4G146AB07 ,  4G146AD22 ,  4G146AD23 ,  4G146AD30 ,  4G146CB13 ,  4G146CB16 ,  4G146CB19 ,  4G146CB21 ,  4G146CB32