特許

J-GLOBAL ID：201303047681041480

フィルム式静電容量センサ及びその製造方法

発明者： 亀島 貴 ,  長谷川 仁 ,  羽生 伸治
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  千且 和也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-261642
公開番号（公開出願番号）：特開2013-114967
出願日： 2011年11月30日
公開日（公表日）： 2013年06月10日
要約：

【課題】レジストの加水分解を遅らせ、塗膜の鉛筆硬度、破断伸び、耐折り曲げ性が向上したフィルム式静電容量センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】ベースフィルム10と、ベースフィルム10の両面にそれぞれ形成された一対の電極12A、12Bと、一対の電極12A、12Bのうち少なくとも一方を覆う、カルボニル基を有する素材を主成分とする防水層14と、防水層14の少なくとも一部を覆う、酢酸セルロースを主成分とする保護層18とを備え、防水層14の膜厚が、30μm以上であることを特徴とするフィルム式静電容量センサ2である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ベースフィルムと、 該ベースフィルムの両面にそれぞれ形成された一対の電極と、 該一対の電極のうち少なくとも一方を覆う、カルボニル基を有する素材を主成分とする防水層と、 該防水層の少なくとも一部を覆う、酢酸セルロースを主成分とする保護層とを備え、 前記防水層の膜厚が、30μm以上であることを特徴とするフィルム式静電容量センサ。

IPC (3件)：

H01H 36/00 ,  B32B 15/08 ,  H01H 11/00

FI (3件)：

H01H36/00 V ,  B32B15/08 D ,  H01H11/00 Q

Fターム (39件)：

4F100AB01C ,  4F100AB01E ,  4F100AB17 ,  4F100AB24 ,  4F100AJ06A ,  4F100AK03B ,  4F100AK07 ,  4F100AK15 ,  4F100AK42 ,  4F100AT00D ,  4F100BA05 ,  4F100BA06 ,  4F100GB61 ,  4F100JB06B ,  4F100JB07B ,  4F100JG01C ,  4F100JG01E ,  4F100JK01A ,  4F100JK02 ,  4F100JK04 ,  4F100JK05 ,  5G023AA12 ,  5G023CA24 ,  5G023CA30 ,  5G046AA07 ,  5G046AB01 ,  5G046AC23 ,  5G046AD16 ,  5G046AE05 ,  5G206AS38H ,  5G206AS50H ,  5G206DS02H ,  5G206DS02K ,  5G206ES39H ,  5G206ES46H ,  5G206GS29 ,  5G206HS03 ,  5G206HU49 ,  5G206KS07