無機固体イオン伝導体とその製造方法および電気化学デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中嶋和昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-162174
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168352
出願日： 2012年07月23日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
要約：

【課題】種々の金属イオンについて室温で高いイオン伝導性を示し、安価かつ簡便に製造可能な無機固体イオン伝導体とその製造方法および電気化学デバイスを提供する。【解決手段】Si、Ti、Zr、Al、Ce、Nb、Sn、およびInからなる群より選択される1または複数の金属の金属酸化物前駆体を含む反応液を調製する工程と、基材の表面に反応液を塗布し、金属酸化物前駆体を反応させ、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ニオブ、酸化スズ、および酸化インジウムからなる群より選択される1または複数を含む非晶質かつ電子絶縁性の金属酸化物薄膜を形成する工程と、金属酸化物薄膜に、1価、2価、または3価の金属イオンをドープする工程とを有する無機固体イオン伝導体の製造方法、該方法により製造される無機固体イオン伝導体およびこれを含む電気化学デバイス。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ケイ素(Si)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、アルミニウム(Al)、セリウム(Ce)、ニオブ(Nb)、スズ(Sn)、およびインジウム(In)からなる群より選択される1または複数の金属の金属酸化物前駆体を含む反応液を調製する工程と、基材の表面に前記反応液を塗布し、前記金属酸化物前駆体を反応させ、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ニオブ、酸化スズ、および酸化インジウムからなる群より選択される1または複数からなり、電子絶縁性の非晶質の金属酸化物薄膜を形成する工程と、前記金属酸化物薄膜に、1価、2価、または3価の金属イオンをドープする工程とを有することを特徴とする無機固体イオン伝導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01B 13/00 , H01M 10/056 , H01B 1/06

FI (3件)：

H01B13/00 Z , H01M10/00 107 , H01B1/06 A

Fターム (30件)：

4G059AA08 , 4G059AC11 , 4G059EA01 , 4G059EA03 , 4G059EA04 , 4G059EA05 , 4G059EA07 , 4G059EB07 , 4G059GA02 , 4G059GA04 , 4G059GA12 , 5G301CA02 , 5G301CA12 , 5G301CA15 , 5G301CA16 , 5G301CA17 , 5G301CA18 , 5G301CA19 , 5G301CA23 , 5G301CA25 , 5G301CA27 , 5G301CA28 , 5G301CD01 , 5G301CE01 , 5G301CE02 , 5H029AJ06 , 5H029AJ14 , 5H029AK02 , 5H029AM12 , 5H029HJ20

引用特許：

出願人引用 (2件)

スルホン酸基を有する有機-シリカ複合膜、およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-388135 出願人：株式会社荏原製作所
特開昭60-033512

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