特許

J-GLOBAL ID：201303047833756073

フォトマスク、半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 安里 直生
出願人/特許権者： ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル
代理人 (4件)： 鷲頭 光宏 ,  緒方 和文 ,  黒瀬 泰之 ,  三谷 拓也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-124495
公開番号（公開出願番号）：特開2013-250399
出願日： 2012年05月31日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：

【課題】半導体装置の製造過程において、レジスト膜の膜厚毀損を抑制する。【解決手段】フォトマスク11は、マスクブランクと、マスクブランク上に形成される遮光膜12を備える。遮光膜12には、第1の方向(b方向)に延伸する複数の開口パターン13aが配列され、開口パターン13aAのb方向における端部と開口パターン13aAに隣接する開口パターン13aBのb方向における端部は、b方向における位置が互いに異なる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

マスクブランクと、 マスクブランク上に形成される遮光膜と、を備え、 前記遮光膜には、第1の方向に延伸する複数の開口パターンが配列され、第1の開口パターンの前記第1の方向における端部と前記第1の開口パターンに隣接する第2の開口パターンの前記第1の方向における端部は、前記第1の方向における位置が互いに異なることを特徴とするフォトマスク。

IPC (5件)：

G03F 1/36 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

G03F1/36 ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/88 B ,  H01L21/302 105A

Fターム (21件)：

2H095BA01 ,  2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09 ,  5F004AA09 ,  5F004DB00 ,  5F004EB08 ,  5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033RR04 ,  5F033XX03 ,  5F033XX31