特許
J-GLOBAL ID：201303048391006009

レーザリフトオフ方法およびレーザリフトオフ装置

発明者：
田中 智史

田中 智史 について

, 
鳴海 恵司

鳴海 恵司 について


出願人/特許権者：
ウシオ電機株式会社

ウシオ電機株式会社 について


代理人 (1件)： 長澤 俊一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-075969
公開番号（公開出願番号）：特開2013-202671
出願日： 2012年03月29日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
要約：
【課題】レーザリフトオフ処理において、基板から材料層を確実にかつクラックが生じないように剥離すること。【解決手段】レーザ源20から出射するパルスレーザがレーザ光学系40を介してワークWに照射されサファイア基板から材料層(GaN結晶層)を剥離させる。該レーザのパルス波形はパルス波形計測器70により計測され制御部50に送られる。演算部501は上記レーザパルス波形を出力パワー(W)に変換し、入力部502から入力されるレーザパルスの立ち上がりからGaNの温度が最も高くなるまでの時間Tと、上記レーザパルス波形に基づき、レーザパルスの立ち上がりから時間Tまでのエネルギー量(有効エネルギー)を計算する。この有効エネルギーは目標有効エネルギーと比較されて、その差に応じた信号がレーザ源20にフィードバックされ、有効エネルギーが目標有効エネルギーに一致するように制御される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に材料層が形成されてなる前記基板を通してパルスレーザを照射し、前記基板と前記材料層との界面で前記材料層を前記基板から剥離するレーザリフトオフ装置であって、前記基板を透過すると共に前記材料層を分解するために必要な波長域のパルスレーザを発生するレーザ源と、 前記パルスレーザが入射され、該パルスレーザのレーザパルス波形を測定するパルス波形計測手段と、 前記パルス波形計測手段により計測されたレーザパルス波形を用いて該レーザパルス波形における各時点の出力パワーを求め、該出力パワーに基づき、前記材料層との界面で前記材料層を前記基板から剥離するに必要なレーザの照射量を求め、前記レーザ源を制御する制御部とを備えた ことを特徴とするレーザリフトオフ装置。
IPC (4件)：
B23K 26/40 ,  H01L 21/205 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/36
FI (5件)：
B23K26/40 ,  H01L21/205 ,  B23K26/00 N ,  B23K26/00 M ,  B23K26/36
Fターム (17件)：
4E068AF00 ,  4E068CA02 ,  4E068CA03 ,  4E068CA17 ,  4E068CB02 ,  4E068CC01 ,  4E068DA09 ,  5F045AB14 ,  5F045AF09 ,  5F045GB15 ,  5F045HA18 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AQ02 ,  5F173AQ03 ,  5F173AQ05 ,  5F173AR92
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 材料層の分離方法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-506445   出願人：ジェイピー・サーセル・アソシエイツ・インコーポレーテッド
  • エキシマレーザーまたはフッ素分子レーザーシステム
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-073277   出願人：ラムダ・フィジーク・ゲゼルシャフト・ツァ・ヘルシュテルンク・フォン・ラーゼルン・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング

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