特許

J-GLOBAL ID：201303048440781099

半導体パワーモジュール

発明者： 山口 浩二
出願人/特許権者： 株式会社IHI
代理人 (2件)： 堀田 実 ,  野村 俊博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-015490
公開番号（公開出願番号）：特開2013-157394
出願日： 2012年01月27日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：

【課題】半導体素子からの放熱能力を維持又は増大すると共に、導体パターンにおける抵抗損失を低減することができる半導体パワーモジュールを提供する。【解決手段】絶縁基板12と、絶縁基板上に設けられた導体パターン14と、導体パターン上に実装された半導体素子16と、導体パターンと半導体素子を電気的に接続する配線材18とを備える。導体パターン14は、半導体素子16が実装される実装部分14aと、半導体素子16が実装されない非実装部分14bとからなる。非実装部分14bの厚さは、導体パターン14における抵抗損失を低減させるように実装部分14aより厚く設定されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、 絶縁基板上に設けられた導体パターンと、 導体パターン上に実装された半導体素子と、 導体パターンと半導体素子を電気的に接続する配線材とを備え、 前記導体パターンは、半導体素子が実装される実装部分と、半導体素子が実装されない非実装部分とからなり、 非実装部分の厚さは、導体パターンにおける抵抗損失を低減させるように実装部分より厚く設定されている、ことを特徴とする半導体パワーモジュール。

IPC (4件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L25/04 C ,  H01L23/36 C ,  H01L23/12 Q

Fターム (7件)：

5F136BA30 ,  5F136BB01 ,  5F136BC02 ,  5F136DA27 ,  5F136EA13 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03