特許

J-GLOBAL ID：201303048579625920

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 多屋 淳志
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 田下 明人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-126343
公開番号（公開出願番号）：特開2013-251456
出願日： 2012年06月01日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：

【課題】品質を低下させることなく、生産性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本製造方法では、まず、改質領域形成工程において、レーザ光Lの集光点Pを半導体基板10の内部の任意の1つの点に固定して半導体基板10の厚さ方向に照射し、改質領域Kを連続的に成長させる。そして、エッチング工程において、改質領域形成工程を経た半導体基板10を、一方面10a側からエッチングするのみで改質領域Kを除去し、半導体基板10に貫通孔14又は凹部16を形成し、半導体装置を製造する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板(10)の内部の任意の1つの点に集光点(P)を固定し、前記半導体基板(10)の一方面(10a)側からレーザ光(L)を前記半導体基板(10)の厚さ方向に照射し、前記集光点(P)を起点として前記厚さ方向に改質領域(K)を連続的に成長させる改質領域形成工程と、 前記改質領域形成工程を経た前記半導体基板(10)を、前記一方面(10a)側からエッチングするのみで前記改質領域(K)を除去し、前記半導体基板(10)に貫通孔(14)又は凹部(16)を形成するエッチング工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置(1、101)の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/38

FI (6件)：

H01L21/306 B ,  H01L21/88 J ,  B23K26/00 ,  B23K26/38 330 ,  B23K26/00 H ,  H01L21/302 105A

Fターム (23件)：

4E068AA01 ,  4E068CA11 ,  4E068DA10 ,  5F004DB01 ,  5F004EB01 ,  5F004EB08 ,  5F004FA05 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033JJ08 ,  5F033MM30 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ53 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD01 ,  5F043DD08 ,  5F043FF06 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• レーザー加工方法およびその装置、並びにその装置を用いた穴あけ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-305573   出願人：セイコーエプソン株式会社