特許
J-GLOBAL ID：201303048770228400

高周波増幅器

発明者：
澁谷 朝彦

澁谷 朝彦 について

, 
味岡 厚

味岡 厚 について

, 
積田 淳史

積田 淳史 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-074198
公開番号（公開出願番号）：特開2013-207533
出願日： 2012年03月28日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
要約：
【課題】電力増幅素子の温度変化に応じて精度良く温度補償を実現できる高周波増幅器を提供する。【解決手段】第一の半導体層16に電力増幅素子10と、少なくとも一つの温度補償素子14とを隣接して設け、第一の半導体層16とは異なる層に存在する少なくとも一つの第二の半導体層17に設けた接地電極13の少なくとも一つを、第一の半導体層16と同一平面の温度補償素子14と電力増幅素子10を設けた間隙部に概ね投影する領域に対応して、第二の半導体層17に形成している。【選択図】図2B
請求項（抜粋）：
第一の半導体層に電力増幅素子と、少なくとも一つの温度補償素子とを隣接して設け、前記第一の半導体層とは異なる層に存在する少なくとも一つの第二の半導体層に、前記電力増幅素子に接続された第一の配線パターンと、前記温度補償素子に接続された第二の配線パターンと、接地電極を設け、前記第二の半導体層に設けた前記接地電極の少なくとも一つを、前記第一の半導体層と同一平面の前記温度補償素子と前記電力増幅素子を設けた間隙部に概ね投影する領域に対応して、前記第二の半導体層に形成したことを特徴とする高周波増幅器。
IPC (1件)：
H03F 3/24
FI (1件)：
H03F3/24
Fターム (15件)：
5J500AA01 ,  5J500AA41 ,  5J500AC02 ,  5J500AC58 ,  5J500AF10 ,  5J500AF16 ,  5J500AH06 ,  5J500AH09 ,  5J500AK09 ,  5J500AK29 ,  5J500AM08 ,  5J500AM19 ,  5J500AQ02 ,  5J500AS14 ,  5J500AT01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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