特許

J-GLOBAL ID：201303048919748142

光触媒反応型化学的加工方法及び装置

発明者： 後藤 肇
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-151539
公開番号（公開出願番号）：特開2013-017925
出願日： 2011年07月08日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：

【課題】SiCやGaN等の難加工性物質の加工速度を向上できる光触媒反応型化学的加工方法を提供する。【解決手段】光触媒薄膜1を被加工物3の表面14に接触若しくは極接近させると共に、その間に酸性水溶液からなる反応処理液5を介在させ、光触媒薄膜1に光照射して生成した活性種を用いて被加工物3の表面14を加工する光触媒反応型化学的加工方法において、反応処理液5のpHが4.88以下となるような条件下で被加工物3の表面14を加工する方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光触媒薄膜を被加工物の表面に接触若しくは極接近させると共に、その間に酸性水溶液からなる反応処理液を介在させ、前記光触媒薄膜に光照射して生成した活性種を用いて被加工物の表面を加工する光触媒反応型化学的加工方法において、 前記反応処理液のpHが4.88以下となるような条件下で被加工物の表面を加工することを特徴とする光触媒反応型化学的加工方法。

IPC (1件)：

B01J 19/12

FI (1件)：

B01J19/12 C

Fターム (31件)：

4G075AA30 ,  4G075BA05 ,  4G075BD16 ,  4G075CA32 ,  4G075CA54 ,  4G075CA57 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EB31 ,  4G075ED01 ,  4G075ED13 ,  4G169AA03 ,  4G169BA04A ,  4G169BA04B ,  4G169BA05A ,  4G169BA48A ,  4G169BB04A ,  4G169BB06A ,  4G169BC03A ,  4G169BC12A ,  4G169BC22A ,  4G169BC35A ,  4G169BC50A ,  4G169BC55A ,  4G169BC56A ,  4G169BC60A ,  4G169HA01 ,  4G169HB01 ,  4G169HB06 ,  4G169HD13 ,  4G169HE20