特許

J-GLOBAL ID：201303048997011822

半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法

発明者： 田原 慶一朗
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (2件)： 速水 進治 ,  天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-063233
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197329
出願日： 2012年03月21日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：

【課題】半導体製造装置のガスノズルに蓄積するパーティクルを発生させる原因となる、ガスノズル内に残留する原料ガスを削減する。【解決手段】図1に示すように、ガスノズルと、ガスノズルの側壁に、ガスノズルとは垂直方向に、かつ半導体ウェハに向けてガスを流す第1のガス噴出口と、第1のガス噴出口とは別に、ガスノズルにおいて第1のガス噴出口よりも末端側に配されており、半導体ウェハとは異なる向きにガスを流す第2のガス噴出口と、を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ガスノズルと、 前記ガスノズルの側壁に、前記ガスノズルとは垂直方向に、かつ半導体ウェハに向けてガスを流す第1のガス噴出口と、 前記第1のガス噴出口とは別に、前記ガスノズルにおいて前記第1のガス噴出口よりも末端側に配されており、前記半導体ウェハとは異なる向きにガスを流す第2のガス噴出口と、 を備えている半導体装置の製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455

FI (2件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/455

Fターム (34件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AE01 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EC02 ,  5F045EC09 ,  5F045EE02 ,  5F045EE19 ,  5F045EE20 ,  5F045EF02 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EF15 ,  5F045EF20 ,  5F045EK06