特許

J-GLOBAL ID：201303049015008471

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 菊地 夏紀 ,  木藤 大
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-053760
公開番号（公開出願番号）：特開2013-187506
出願日： 2012年03月09日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：

【課題】小型化が実現する不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置1は、電気的に書き換え可能な複数のメモリセルが直列に接続されたメモリストリングと、第1抵抗素子110と、を下地層12の上に備えた不揮発性半導体記憶装置1である。第1抵抗素子110は、下地層12の主面12aに対して略平行な第1方向Yにおいて直列状に接続された複数の第1抵抗体110を有する。複数の第1抵抗体110のそれぞれは、下地層12の前記主面12aに対して略垂直なZ方向に延在する一対の第1半導体層120と、一対の第1半導体層120のそれぞれの下端どうしに接続された第2半導体層130と、を含む。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

電気的に書き換え可能な複数のメモリセルが直列に接続されたメモリストリングと、第1抵抗素子と、を下地層の上に備えた不揮発性半導体記憶装置であって、 前記第1抵抗素子は、前記下地層の主面に対して略平行な第1方向において直列状に接続された複数の第1抵抗体を有し、 前記複数の第1抵抗体のそれぞれは、 前記下地層の前記主面に対して略垂直な方向に延在する一対の第1半導体層と、 前記一対の第1半導体層のそれぞれの下端どうしに接続された第2半導体層と、 を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10

FI (3件)：

H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 481

Fターム (35件)：

5F083EP18 ,  5F083EP30 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP76 ,  5F083ER23 ,  5F083GA10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA04 ,  5F083JA39 ,  5F083JA56 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA11 ,  5F083KA17 ,  5F083LA10 ,  5F083LA11 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR40 ,  5F083PR57 ,  5F083ZA08 ,  5F101BA45 ,  5F101BB02 ,  5F101BD16 ,  5F101BD22 ,  5F101BD27 ,  5F101BD32 ,  5F101BD34 ,  5F101BE07 ,  5F101BE14 ,  5F101BH21