特許
J-GLOBAL ID:201303049247233528

転写用ドナー基板およびデバイス基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 酒井 宏明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-028279
公開番号(公開出願番号):特開2013-191553
出願日: 2013年02月15日
公開日(公表日): 2013年09月26日
要約:
【課題】区画パターンの直線性、平滑性の向上により、性能の高いデバイスを提供するとともに、耐久性に優れた転写用ドナー基板およびデバイス基板の製造方法を提供する。【解決手段】支持体31と、光を吸収して熱を発生する光熱変換層33と、転写層37を区画する区画パターン34と、を備え、区画パターン34は、少なくとも1種のシロキサン化合物を反応させたシロキサンポリマーを含むシロキサン化合物から形成されることを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
支持体と、光を吸収して熱を発生する光熱変換層と、転写層を区画する区画パターンと、を有する転写用ドナー基板であって、 前記区画パターンは、下記一般式(1)で表される少なくとも1種のシロキサン化合物を反応させたシロキサンポリマー(A)を含むシロキサン組成物から形成されることを特徴とする転写用ドナー基板。
IPC (5件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/22 ,  H01L 51/50
FI (5件):
H05B33/10 ,  H05B33/04 ,  H05B33/12 B ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/14 A
Fターム (9件):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC31 ,  3K107CC45 ,  3K107DD89 ,  3K107FF08 ,  3K107GG09 ,  3K107GG24

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