特許
J-GLOBAL ID:201303049289413020
半導体ヘテロ粒子およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人セントクレスト国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-281344
公開番号(公開出願番号):特開2013-150972
出願日: 2012年12月25日
公開日(公表日): 2013年08月08日
要約:
【課題】2種類の異なる半導体粒子を備えており、溶液系電子メディエーターを使用せず、比較的広いpH範囲で光触媒機能が発現する半導体ヘテロ粒子を提供すること。【解決手段】第1の半導体粒子2aと第2の半導体粒子2bと金属粒子3と有機基1とを備えており、 前記第1の半導体粒子2aの伝導帯下端の電位が前記第2の半導体粒子2bの価電子帯上端の電位よりネガティブであり、 前記金属粒子3が前記第1および第2の半導体粒子2a、2bのうちの一方の半導体粒子に接合しており、 前記有機基1が前記第1および第2の半導体粒子2a、2bのうちの他方の半導体粒子に結合しており、 前記有機基1が金属結合官能基を有しており且つ該金属結合官能基が前記金属粒子3と結合している、ことを特徴とする半導体ヘテロ粒子。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1の半導体粒子と第2の半導体粒子と金属粒子と有機基とを備えており、
前記第1の半導体粒子の伝導帯下端の電位が前記第2の半導体粒子の価電子帯上端の電位よりネガティブであり、
前記金属粒子が前記第1および第2の半導体粒子のうちの一方の半導体粒子に接合しており、
前記有機基が前記第1および第2の半導体粒子のうちの他方の半導体粒子に結合しており、
前記有機基が金属結合官能基を有しており且つ該金属結合官能基が前記金属粒子と結合している、ことを特徴とする半導体ヘテロ粒子。
IPC (6件):
B01J 35/02
, B01J 31/38
, B01J 31/36
, B01J 31/34
, B01J 31/28
, C01B 3/04
FI (6件):
B01J35/02 J
, B01J31/38 M
, B01J31/36 M
, B01J31/34 M
, B01J31/28 M
, C01B3/04 A
Fターム (41件):
4G169AA03
, 4G169AA08
, 4G169BA04B
, 4G169BA21B
, 4G169BA48
, 4G169BB04B
, 4G169BB06B
, 4G169BB11B
, 4G169BC09B
, 4G169BC25B
, 4G169BC31B
, 4G169BC33B
, 4G169BC35B
, 4G169BC54B
, 4G169BC56B
, 4G169BC60B
, 4G169BC66B
, 4G169BC72B
, 4G169BC75B
, 4G169BD06B
, 4G169BE14B
, 4G169BE21B
, 4G169BE32B
, 4G169CC33
, 4G169DA05
, 4G169EA02Y
, 4G169EB18Y
, 4G169FA01
, 4G169FA02
, 4G169FB06
, 4G169FB07
, 4G169FB14
, 4G169FB17
, 4G169FB20
, 4G169FB30
, 4G169HA01
, 4G169HB01
, 4G169HB06
, 4G169HC06
, 4G169HD02
, 4G169HE09
引用特許:
引用文献:
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