特許
J-GLOBAL ID：201303049464148792

廃シリコンからのハロシランの製造方法

発明者：
友野 和哲

友野 和哲 について

, 
岡村 優樹

岡村 優樹 について

, 
中山 雅晴

中山 雅晴 について


出願人/特許権者：
国立大学法人山口大学

国立大学法人山口大学 について


代理人 (6件)： 廣田 雅紀 ,  小澤 誠次 ,  東海 裕作 ,  大▲高▼ とし子 ,  ▲高▼津 一也 ,  堀内 真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-250812
公開番号（公開出願番号）：特開2013-103872
出願日： 2011年11月16日
公開日（公表日）： 2013年05月30日
要約：
【課題】シリコンウェハ製造用シリコンインゴットを砥粒として炭化ケイ素又はダイヤモンドを用いた砥粒方式により切削する際に発生する砥粒含有廃シリコンの処理物から高い収率でハロシランを製造する方法を提供すること。【解決手段】炭化ケイ素又はダイヤモンドからなる砥粒を含有する廃シリコン処理物を用いる方法であって、砥粒含有廃シリコンスラリーから砥粒を主成分とする固形分を分離することなくハロゲン化水素と反応させるハロシランの製造方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコンに対して35質量%以上の炭化ケイ素又はシリコンに対して0.5質量%以上のダイヤモンドの存在下で、シリコン及びハロゲン化水素を反応させることを特徴とするハロシランの製造方法。
IPC (1件)：
C01B 33/107
FI (1件)：
C01B33/107 Z
Fターム (11件)：
4G072AA15 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072HH33 ,  4G072HH40 ,  4G072JJ02 ,  4G072JJ13 ,  4G072LL02 ,  4G072MM01 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02
引用特許：
審査官引用 (5件)
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