特許
J-GLOBAL ID：201303049477571945

横型素子を有する半導体装置

発明者：
酒井 健

酒井 健 について

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山田 明

山田 明 について

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高橋 茂樹

高橋 茂樹 について

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芦田 洋一

芦田 洋一 について

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白木 聡

白木 聡 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-154884
公開番号（公開出願番号）：特開2013-084903
出願日： 2012年07月10日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
要約：
【課題】耐圧バラツキを抑制し、歩留りを向上させることが可能となる横型素子を有する半導体装置を提供する。【解決手段】横型FWDなどの横型素子に備えられるSRFP21について、の不純物濃度を1×1018cm-3以上となるようにする。このように、横型FWD7などに備えられるSRFP21について、の不純物濃度を1×1018cm-3以上とすることにより、耐圧バラツキを抑制することが可能となり、的確に目標とする耐圧を得ることができる製品とすることが可能になる。したがって、製品の歩留りを向上させることが可能となる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層(11c、62)を有する半導体基板(11、60)の前記半導体層(11c、62)の表面に、第1電極(19、32)および第2電極(20、33)を備えていると共に、前記第1電極(19、32)と前記第2電極(20、33)との間において電流を流す横型素子(7、8)が形成されてなる半導体装置において、 前記第1電極(19、32)から前記第2電極(20、33)側に向けて延設された抵抗性フィールドプレート(21、34)を備え、 前記抵抗性フィールドプレート(21、34)のうち、前記第1電極(19、32)および前記第2電極(20、33)における低電圧が印加される側の電極(20、33)側の端部の不純物濃度が1×1018cm-3以上に設定されていることを特徴とする横型素子を有する半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (9件)：
H01L29/91 D ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/91 E ,  H01L29/91 J ,  H01L29/06 301D ,  H01L29/91 K ,  H01L29/44 Y ,  H01L29/78 301D
Fターム (42件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104DD55 ,  4M104FF10 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH18 ,  5F110AA13 ,  5F110AA26 ,  5F110BB03 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG24 ,  5F110GG34 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ06 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F140AA01 ,  5F140AC22 ,  5F140AC36 ,  5F140BD19 ,  5F140BH02 ,  5F140BH30 ,  5F140BH43 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ30 ,  5F140CB01 ,  5F140CD09
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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