特許

J-GLOBAL ID：201303049648732179

半導体装置の製造方法

発明者： 桜田 伸一
出願人/特許権者： エルピーダメモリ株式会社
代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-064776
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197434
出願日： 2012年03月22日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：

【課題】半導体ウエハの一面側に貼り付けられた保護テープが、半導体ウエハの他面側に配置されたダイアタッチングフィルムに接着するのを防止する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの一面に保護テープを貼り付ける工程と、半導体ウエハの一面の第1のエッジと保護テープの半導体ウエハに貼り付けられた面の第2のエッジとを互いに一致させる工程と、半導体ウエハの他面側を研削して半導体ウエハを薄型化する工程と、薄型化された半導体ウエハの他面側をダイシングテープに保持させる工程と、保護テープを半導体ウエハの一面から剥離する工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの一面に保護テープを貼り付ける工程と、 前記半導体ウエハの一面の第1のエッジと前記保護テープの前記半導体ウエハに貼り付けられた面の第2のエッジとを互いに一致させる工程と、 前記半導体ウエハの他面側を研削して前記半導体ウエハを薄型化する工程と、 薄型化された前記半導体ウエハの他面側をダイシングテープに保持させる工程と、 前記保護テープを前記半導体ウエハの一面から剥離する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/78 L ,  H01L21/304 622J ,  H01L21/304 631

Fターム (8件)：

5F057AA05 ,  5F057BA21 ,  5F057CA14 ,  5F057CA31 ,  5F057CA36 ,  5F057DA11 ,  5F057FA28 ,  5F057FA30