インライン型プラズマCVD装置及び方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-050778
公開番号（公開出願番号）：特開2013-187320
出願日： 2012年03月07日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：

【課題】成膜チャンバ内で、プラズマCVD膜を均質に形成することができ、成膜物質によるプレートの汚染を、成膜チャンバ内で行い、清掃処理を簡略化及び迅速化することができるインライン型プラズマCVD装置を提供する。【解決手段】インライン型プラズマCVD装置の成膜チャンバ3内に、平面視で成膜チャンバ3の中央に配置された電極10とヒータ7との間に、プレート11上に載置された基板12を位置させる。支持部材8によりヒータ7を上昇させて、プレート11を対向電極に接触させて接続し、電極10の細孔10bから原料ガスを噴出させ、電極10とプレート11との間に放電を生起して、基板12上に所定の膜を成膜する。このとき、成膜チャンバ3の底壁に、その中心の回りの4等配の位置に設けた排気口30から排気ガスを排出する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

内部の大気開放及び真空吸引が可能なロードチャンバ及びアンロードチャンバと、内部の装入物を真空状態で加熱する予備加熱チャンバと、内部の装入物に対し真空状態でプラズマCVDにより成膜する成膜チャンバと、を有し、複数個の基板を載置したプレートが、前記ロードチャンバで真空雰囲気にされた後、この真空状態を保持したまま、前記予備加熱チャンバに装入されて前記プレート上の基板が加熱され、次いで、真空状態を保持したまま、前記成膜チャンバに装入されて前記プレート上の基板にプラズマCVDにより成膜され、前記アンロードチャンバで真空状態から大気に開放されて、前記プレート上の成膜後の基板が取り出されるインライン型プラズマCVD装置において、前記成膜チャンバ内の平面視で中央部に設定された放電位置に放電対象物を供給する供給部と、前記成膜チャンバ内における前記放電位置の上方に配置された電極と、前記成膜チャンバ内における前記放電位置の下方に配置されたヒータと、前記成膜チャンバ内の上面における前記放電位置の直上の位置から前記成膜チャンバ内に原料ガス又は清掃ガスを導入する導入部材と、前記電極と前記放電対象物との間にプラズマ放電電圧を印加してプラズマ放電を生起させる電源と、前記成膜チャンバの下面における前記放電位置の直下の位置を中心とする等配の複数の位置に設置された複数個のガス排気口と、を有することを特徴とするインライン型プラズマCVD装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , C23C 16/46 , H01L 21/318

FI (4件)：

H01L21/31 C , C23C16/44 J , C23C16/46 , H01L21/318 B

Fターム (33件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030CA17 , 4K030DA01 , 4K030DA02 , 4K030FA01 , 4K030KA02 , 4K030KA23 , 4K030KA28 , 4K030LA16 , 5F045AA08 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045BB01 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045DP13 , 5F045DP15 , 5F045EB06 , 5F045EB08 , 5F045EF05 , 5F045EF20 , 5F045EH07 , 5F045EH14 , 5F045EK07 , 5F045EK08 , 5F045EK09 , 5F058BA06 , 5F058BA20 , 5F058BC08

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