特許
J-GLOBAL ID：201303049720288718

酸化物半導体膜および半導体装置

発明者：
佐々木 俊成

佐々木 俊成 について

, 
横山 周平

横山 周平 について

, 
羽持 貴士

羽持 貴士 について

, 
野中 裕介

野中 裕介 について

, 
保坂 泰靖

保坂 泰靖 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-090294
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243352
出願日： 2013年04月23日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：
【課題】酸化物半導体膜の評価方法を提供する。酸化物半導体膜を用いたトランジスタの評価方法を提供する。良好なスイッチング特性を有する、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。良好なスイッチング特性を実現する、トランジスタに適用可能な酸化物半導体膜を提供する。【解決手段】酸化物半導体膜は、低温PL法によって得られるPLスペクトルにおいて、極大値が1.6eV以上1.8eV以下である第1カーブと、極大値が1.7eV以上2.4eV以下である第2カーブと、を有し、第2カーブの面積を第1カーブの面積および第2カーブの面積の和で除した値が0.1以上1未満である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
インジウム、ガリウム、スズ、ハフニウムおよび亜鉛のいずれかを含む酸化物半導体膜であって、 前記酸化物半導体膜は、前記酸化物半導体膜のバンドギャップ以上のエネルギーを有する光が照射されることで、キャリアが生成され、前記キャリアの一部が再結合する際に発光し、前記発光のエネルギーと前記発光の強度のプロットがガウス関数で近似される第1カーブおよび第2カーブを含み、前記第1カーブの極大値は1.6eV以上1.8eV以下であり、前記第2カーブの極大値は1.7eV以上2.4eV以下であり、前記第2カーブの面積を前記第1カーブの面積および前記第2カーブの面積の和で除した値が0.1以上1未満であることを特徴とする酸化物半導体膜。
IPC (15件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/363 ,  H01L 51/50 ,  G02F 1/136
FI (14件)：
H01L29/78 624 ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/08 321G ,  H01L27/10 381 ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 671C ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 441 ,  H01L29/78 371 ,  H01L21/66 Q ,  H01L21/363 ,  H05B33/14 A ,  G02F1/1368
Fターム (155件)：
2H192AA24 ,  2H192CB02 ,  2H192CB03 ,  2H192CB05 ,  2H192CB06 ,  2H192CB08 ,  2H192CB37 ,  2H192JA24 ,  2H192JA25 ,  2H192JA53 ,  2H192JA64 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107FF19 ,  4M106AA10 ,  4M106BA05 ,  4M106CA18 ,  4M106CB07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB03 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB15 ,  5F048BC18 ,  5F048BD10 ,  5F048BE09 ,  5F048BG11 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F048CB08 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083AD69 ,  5F083BS02 ,  5F083BS15 ,  5F083BS26 ,  5F083BS27 ,  5F083BS29 ,  5F083EP02 ,  5F083EP30 ,  5F083ER01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA31 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F101BA01 ,  5F101BB09 ,  5F101BC20 ,  5F101BD30 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05 ,  5F103RR10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA24 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110BB07 ,  5F110BB08 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG30 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN62 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM