特許
J-GLOBAL ID：201303049901323060

半導体装置

発明者：
森 徹

森 徹 について


出願人/特許権者：
ラピスセミコンダクタ株式会社

ラピスセミコンダクタ株式会社 について


代理人 (3件)： 前田 実 ,  山形 洋一 ,  篠原 昌彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-036898
公開番号（公開出願番号）：特開2013-172110
出願日： 2012年02月23日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
要約：
【課題】十分な実効チャネル幅を確保でき、素子面積を小さくすることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、ゲート電極を含むゲート構造16と、ドレイン領域20と、ソース領域21と、基板コンタクト領域22とを備える。ソース領域21の基板コンタクト領域22側の一端部は、ゲート構造16の延在方向に沿って配列された凹状部21C,...,21Cを有する。ソース領域のゲート構造16側の他端部は、凹状部21C,...,21Cと離間して配置され、線状且つ連続的に形成されている。基板コンタクト領域22は、ゲート構造16の延在方向に沿って配列された対向領域22P,...,22Pを有し、これら対向領域22P,...,22Pは、凹状部21C,...,21C内にそれぞれ配置されている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成され前記主面に沿って延在するゲート電極と、 前記半導体基板内で前記ゲート電極の両側のうちの一方の側に形成された第1導電型の不純物拡散領域からなるソース領域と、 前記半導体基板内で前記ゲート電極の両側のうちの他方の側に形成され、前記第1導電型と同じ導電型の不純物拡散領域からなるドレイン領域と、 前記半導体基板内で前記ゲート電極に対して前記ソース領域よりも外側に形成され、前記第1導電型とは異なる第2導電型の不純物拡散領域からなる基板コンタクト領域と を備え、 前記ソース領域の前記基板コンタクト領域側の一端部は、前記ゲート電極の延在方向に沿って配列された複数の凹状部を有し、 前記ソース領域の前記ゲート電極側の他端部は、前記複数の凹状部と離間して配置され且つ前記ゲート電極の延在方向に沿って線状且つ連続的に形成されており、 前記基板コンタクト領域は、前記ゲート電極の延在方向に沿って配列され前記複数の凹状部に対向する複数の対向領域を有し、 前記複数の対向領域は、前記複数の凹状部内にそれぞれ配置されている ことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L29/78 301D ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/78 301W
Fターム (38件)：
5F140AA17 ,  5F140AA25 ,  5F140AA29 ,  5F140AA39 ,  5F140AC21 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD09 ,  5F140BD13 ,  5F140BD19 ,  5F140BE07 ,  5F140BF44 ,  5F140BF54 ,  5F140BF60 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BG46 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH02 ,  5F140BH04 ,  5F140BH17 ,  5F140BH18 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH43 ,  5F140BH45 ,  5F140BH47 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CE12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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