パターン形成方法及びレジスト組成物

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-184673
公開番号（公開出願番号）：特開2013-045055
出願日： 2011年08月26日
公開日（公表日）： 2013年03月04日
要約：

【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なネガティブパターン形成用レジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。【解決手段】スルホンアミド基が酸不安定基で置換された式(1)の繰り返し単位a1及び/又はa2を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、露光し、有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

スルホンアミド基が酸不安定基で置換された下記一般式(1)で示される繰り返し単位a1及び/又はa2を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (8件)：

G03F 7/039 , G03F 7/038 , G03F 7/32 , G03F 7/004 , H01L 21/027 , C08F 28/02 , C08F 20/38 , C08F 26/02

FI (9件)：

G03F7/039 601 , G03F7/038 601 , G03F7/32 , G03F7/004 503A , H01L21/30 502R , H01L21/30 502C , C08F28/02 , C08F20/38 , C08F26/02

Fターム (82件)：

2H096AA25 , 2H096BA06 , 2H096EA12 , 2H096GA04 , 2H125AE13P , 2H125AF17P , 2H125AF18P , 2H125AF34P , 2H125AF36P , 2H125AF38P , 2H125AF41P , 2H125AF43P , 2H125AF45P , 2H125AF70P , 2H125AH01 , 2H125AH11 , 2H125AH12 , 2H125AH16 , 2H125AH22 , 2H125AH23 , 2H125AH24 , 2H125AH25 , 2H125AH29 , 2H125AJ14X , 2H125AJ14Y , 2H125AJ18X , 2H125AJ23X , 2H125AJ32Y , 2H125AJ64X , 2H125AJ64Y , 2H125AJ65X , 2H125AJ67X , 2H125AJ68X , 2H125AJ69X , 2H125AJ70Y , 2H125AJ82Y , 2H125AJ83Y , 2H125AJ84X , 2H125AJ84Y , 2H125AL03 , 2H125AL11 , 2H125AM85N , 2H125AN11P , 2H125AN31P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN63P , 2H125AN88P , 2H125AP02N , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC01 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125FA01 , 2H125FA05 , 2H125FA23 , 4J100AB07P , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AP01P , 4J100BA04P , 4J100BA50Q , 4J100BA55P , 4J100BA56Q , 4J100BA59P , 4J100BB12Q , 4J100BB18Q , 4J100BC03P , 4J100BC04P , 4J100BC07P , 4J100BC08P , 4J100BC09P , 4J100BC12P , 4J100BC43P , 4J100BC49P , 4J100BC53P , 4J100BC83P , 4J100BC84P , 4J100JA38 , 5F146AA13

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